专利详情

专利名称	晶体管、晶体管制作方法及包括该晶体管的半导体器件
申请号	CN201110336801.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103094217A	公开（授权）日	2013.05.08
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	梁擎擎;钟汇才;朱慧珑
主分类号	H01L21/84(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/84(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I
专利有效期	晶体管、晶体管制作方法及包括该晶体管的半导体器件至晶体管、晶体管制作方法及包括该晶体管的半导体器件	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种晶体管、晶体管制作方法及包括该晶体管的半导体器件。该晶体管制作方法可以包括：提供衬底，并且在该衬底上形成第一绝缘层；在该第一绝缘层上定义第一器件区；在该第一绝缘层上围绕该第一器件区形成侧墙隔离物；在该第一绝缘层上定义第二器件区，该第二器件区通过该侧墙隔离物与该第一器件区隔离；以及分别在该第一器件区和第二器件区中形成晶体管结构。本发明的晶体管制作方法大大减小了隔离所需的空间，显著降低了工艺复杂度，并且大幅减小了制作成本。