专利详情

专利名称	钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法
申请号	CN201210537544.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103000807A	公开（授权）日	2013.03.27
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋三年;宋志棠;张中华;顾怡峰
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法至钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法，包括：沉积Ti前驱体，所述Ti前驱体包括(R1)4Ti、(R1R2N)4Ti、(R1O)4Ti、((R1)3Si)4Ti及TiM4的一种或一种以上，其中R1和R2为含有1~10个碳的直链、支链或环状的烷基，M为Cl、F或Br；沉积Te前驱体，所述Te前驱体包括(R1)2Te、(R1R2N)2Te、((R1)3Si)2Te的一种或一种以上，其中R选自含1~10个碳的直链、支链或环状的烷基或烯基；沉积Sb前驱体，所述Sb前驱体包括(R1)3Sb、(R1R2N)3Sb、(R1O)3Sb、((R1)3Si)3Sb、SbM3的一种或一种以上，其中R1和R2为含有1~10个碳的直链、支链或环状的烷基，M为Cl、F或Br。本发明制备的TiSbTe相变材料具有厚度精确可控，薄膜致密性好，填孔能力强的特点。采用这种方法制备的相变薄膜应用到存储器中，可实现高密度存储，同时可以获得低功耗的器件。