专利详情

专利名称	晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法
申请号	CN201310045572.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103107250A	公开（授权）日	2013.05.15
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	杨华;薛斌;于飞;谢海忠;卢鹏志;李璟;伊晓燕;王军喜;李晋闽
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I;H01L27/15(2006.01)I;H01L33/50(2010.01)I
专利有效期	晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法至晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延片；步骤2：在外延片上制备发光二极管单元模组，形成发光二极管阵列，该发光二极管单元模组包括多个发光二极管；步骤3：在发光二极管单元模组中的发光二极管上涂覆荧光粉，通过发光二极管激发荧光粉产生不同波长的光达到对该发光二极管的输出光色进行调整；步骤4：取一基板；步骤5：将制备有发光二极管阵列的外延片依次固定在基板上，并与基板形成电性连接，完成结构的制备。本方法可整合发光二极管的制备工艺和芯片封装工艺，具有简化工艺路径，降低工艺成本。可以通过工艺对发光二极管的尺寸和间距进行精确控制。