专利详情

专利名称	表面质量提高的固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法
申请号	CN201110352096.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103102158A	公开（授权）日	2013.05.15
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	高剑琴;黄政仁;陈健;刘桂玲;刘学建
主分类号	C04B35/565(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期	表面质量提高的固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法至表面质量提高的固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及表面质量提高的固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法，该方法包括以下步骤：测量SiC粉体表面的氧含量，并根据3C+SiO2＝SiC+2CO↑计算出所需的碳含量；加入烧结助剂B和C混合浆料，配比如下：烧结助剂与SiC粉体的混合物∶磨球∶分散介质＝1∶3∶1；烘干浆料、过筛，成型后除去粘结剂；在流动惰性气体保护下，以烧结温度为2050-2200℃进行烧结，保温时间1-4小时，生成致密的SiC陶瓷；对所得的致密的SiC陶瓷进行机械加工；对经机械加工的SiC陶瓷进行超声清洗以去除陶瓷表面上的残留粒子和沾污物。