制备硅基微电极的方法
- 申请号：CN201310062478.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN103101878A
- 公开(公开)日：2013.05.15
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 制备硅基微电极的方法 | ||
| 申请号 | CN201310062478.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103101878A | 公开（授权）日 | 2013.05.15 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 裴为华;陈三元;归强;陈弘达 |
| 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 制备硅基微电极的方法 至制备硅基微电极的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种制备硅基微电极的方法。该方法利用贵金属纳米颗粒在硅片表面催化腐蚀形成纳米孔洞阵列；在该纳米孔洞阵列上制备下绝缘层、导电层和上绝缘层，进而形成带有纳米孔洞阵列的微记录点。本发明制备硅基微电极的方法减少了工艺流程，降低了成本。 | ||
交易流程
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