专利详情

专利名称	薄膜太阳能电池组件的制备方法
申请号	CN201210509086.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102983219A	公开（授权）日	2013.03.20
申请（专利权）人	深圳先进技术研究院;香港中文大学	发明（设计）人	童君;杨春雷;肖旭东
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I
专利有效期	薄膜太阳能电池组件的制备方法至薄膜太阳能电池组件的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种薄膜太阳能电池组件的制备方法，包括如下步骤：在衬底上制备钼薄膜；对所述钼薄膜进行退火处理形成钼背电极，退火温度为400℃～580℃，退火时间为5～15分钟；及在所述钼背电极上依次制备铜铟镓硒或铜铟硒吸收层、缓冲层、窗口层及透明导电薄膜，形成所述薄膜太阳能电池组件。上述方法中，通过退火处理，将钼薄膜加工成为同时具备良好附着力、抗腐蚀以及良好导电性的适用于薄膜太阳能电池组件背电极。并且通过此改进，提高了薄膜太阳能电池组件器件的工作效率。