专利详情

专利名称	一种用于PECVD多点进气多区可调装置
申请号	CN201110358404.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103103500A	公开（授权）日	2013.05.15
申请（专利权）人	中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司	发明（设计）人	赵科新;赵崇凌;李士军;张健;张冬;洪克超;徐宝利;钟福强;陆涛;许新;王刚;刘兴;郭玉飞;王学敏;李松
主分类号	C23C16/455(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/455(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I
专利有效期	一种用于PECVD多点进气多区可调装置至一种用于PECVD多点进气多区可调装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于涉及微电子技术领域，特别涉及一种用于PECVD带有可以提高大面积镀膜均匀性的多点进气多区可调装置。包括排气区体、进水管、回水管、硅烷进气口及氨气进气口，其中进水管、回水管、硅烷进气口及氨气进气口均布置在排气区体上。具有该多点进气多区可调装置的PECVD能够一次处理多个电池片，该装置可以提高SiN膜层厚度的均匀性，从而具有较高的产能，提高了PECVD设备的生产效率。