专利详情

专利名称	一种弧形凹陷小孔的PDMS聚合物芯片的制备方法及应用
申请号	CN201210439646.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102978110A	公开（授权）日	2013.03.20
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所	发明（设计）人	秦建华;石杨;姜雷;张旭
主分类号	C12M3/00(2006.01)I	IPC主分类号	C12M3/00(2006.01)I;C12N5/077(2010.01)I
专利有效期	一种弧形凹陷小孔的PDMS聚合物芯片的制备方法及应用至一种弧形凹陷小孔的PDMS聚合物芯片的制备方法及应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种弧形凹陷小孔的PDMS聚合物芯片的制备方法及应用，该方法的步骤为利用软蚀刻技术制作PDMS通道芯片模板；制作PDMS薄膜，将上述的PDMS通道芯片模板，与PDMS薄膜封接后，与玻璃片封接，底部用金属管连接气体，对整个装置进行表面修饰；将未固化后的PDMS聚合物溶液倒入上述的装置，通入气体，加热固化PDMS聚合物溶液，剥离PDMS芯片即可；表面修饰后的PDMS芯片可以用于细胞的三维培养，该方法无需昂贵的刻蚀设备，具有操作简单、快速，实验成本低廉，不涉及有机试剂，环境友好，可与其它技术集成化的优点。