专利详情

专利名称	IGBT背面结构及制备方法
申请号	CN201310064612.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103107189A	公开（授权）日	2013.05.15
申请（专利权）人	江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司	发明（设计）人	吴凯;朱阳军;卢烁今;陈宏
主分类号	H01L29/739(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/739(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I
专利有效期	IGBT背面结构及制备方法至IGBT背面结构及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种IGBT背面结构，包括间隔分布的P+集电区、背面金属电极、SiO2保护层；所述SiO2保护层设置于N型基区的背面，SiO2保护层上间隔设置接触孔，所述间隔分布的P+集电区对应接触孔处被刻蚀形成凹陷坑，并且间隔分布的P+集电区的剩余厚度小于电子在其中的扩散长度；背面金属电极的金属完全填充间隔分布的P+集电区的凹陷坑，与间隔分布的P+集电区紧密接触。本发明还提供了上述IGBT背面结构的制备方法。本发明用于改善IGBT器件的性能。