专利详情

专利名称	在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法
申请号	CN201310061485.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103107252A	公开（授权）日	2013.05.15
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	杨海方;尹红星;顾长志;刘哲;夏晓翔
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法至在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明是一种在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法，其步骤包括：在AlGaInP基LED的GaP表面旋涂光刻胶，利用热板或烘箱对其进行烘烤；根据所要制备的图形尺寸及形状制备掩膜版；利用紫外光刻设备，采用欠曝光对样品进行曝光并显影；选择合适的温度对曝光后的样品进行热流处理，形成类球形形状的光刻胶结构样品；将光刻胶结构样品用感应耦合等离子体刻蚀设备进行刻蚀，从而将光刻胶形状转移到GaP表面；用丙酮溶液或者去胶机去除样品表面的残胶即得到增强AlGaInP基LED光提取效率的GaP类球形结构。