
一种快速反演薄膜生长厚度的光学监控追迹方法
- 申请号:CN201210501871.2
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海技术物理研究所
- 公开(公开)号:CN102980522A
- 公开(公开)日:2013.03.20
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种快速反演薄膜生长厚度的光学监控追迹方法 | ||
申请号 | CN201210501871.2 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102980522A | 公开(授权)日 | 2013.03.20 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明(设计)人 | 蔡清元;郑玉祥;刘定权;罗海瀚 |
主分类号 | G01B11/06(2006.01)I | IPC主分类号 | G01B11/06(2006.01)I |
专利有效期 | 一种快速反演薄膜生长厚度的光学监控追迹方法 至一种快速反演薄膜生长厚度的光学监控追迹方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种快速反演薄膜生长厚度的光学监控追迹方法,属于薄膜生长光学监控技术领域。该方法建立了一种有别于导纳追迹方式的光学监控追迹方式,以膜系透射率的倒数及膜层等效位相厚度同时作为追迹对象,可以在监控过程中实时看到薄膜生长过程中光学特性的变化,并建立直观的监控透射率信号与膜层厚度的对应关系,完成薄膜生长厚度的监控。根据设计参数进行理论计算并作好预期追迹图像,通过实际光学监控信号的极值点来修正预期追迹图像,完成实际追迹图像,获得实际膜层折射率,从而修正膜系设计参数,并进行不同膜层间厚度的自动补偿。 |
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