
一种用于乳房成像的磁共振成像超导磁体系统
- 申请号:CN201310030232.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院电工研究所
- 公开(公开)号:CN103065757A
- 公开(公开)日:2013.04.24
- 法律状态:公开
- 出售价格: 面议 立即咨询
专利详情
专利名称 | 一种用于乳房成像的磁共振成像超导磁体系统 | ||
申请号 | CN201310030232.7 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN103065757A | 公开(授权)日 | 2013.04.24 |
申请(专利权)人 | 中国科学院电工研究所 | 发明(设计)人 | 倪志鹏;王秋良;李兰凯;严陆光 |
主分类号 | H01F6/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F6/00(2006.01)I;H01F6/04(2006.01)I;H01F6/06(2006.01)I;G01R33/3815(2006.01)I |
专利有效期 | 一种用于乳房成像的磁共振成像超导磁体系统 至一种用于乳房成像的磁共振成像超导磁体系统 | 法律状态 | 公开 |
说明书摘要 | 一种用于乳房成像的磁共振成像超导磁体系统,超导磁体系统由上低温容器(1)、下低温容器(2)、上超导主线圈、上超导屏蔽线圈(4)、下超导主线圈、下超导屏蔽线圈(6)和脉管制冷机(17)组成。上超导主线圈和上超导屏蔽线圈(4)安装上低温容器(1)内,上低温容器(1)提供直径为40cm的竖直室温孔。下超导主线圈和下超导屏蔽线圈(6)安装在平面型下低温容器(2)内,上、下低温容器之间提供间距为45cm的水平间隙。超导磁体在向上偏离超导磁体中心8cm、直径为20cm的球形成像区域内产生磁场强度为1.0T、磁场峰峰值不均匀度为15ppm的空间磁场分布,5高斯杂散场在竖直方向和水平方向分别约束在3.5m和4.0m的椭球范围内。 |
交易流程
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