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一种用于乳房成像的磁共振成像超导磁体系统

  • 申请号:CN201310030232.7
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院电工研究所
  • 公开(公开)号:CN103065757A
  • 公开(公开)日:2013.04.24
  • 法律状态:公开
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种用于乳房成像的磁共振成像超导磁体系统
申请号 CN201310030232.7 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103065757A 公开(授权)日 2013.04.24
申请(专利权)人 中国科学院电工研究所 发明(设计)人 倪志鹏;王秋良;李兰凯;严陆光
主分类号 H01F6/00(2006.01)I IPC主分类号 H01F6/00(2006.01)I;H01F6/04(2006.01)I;H01F6/06(2006.01)I;G01R33/3815(2006.01)I
专利有效期 一种用于乳房成像的磁共振成像超导磁体系统 至一种用于乳房成像的磁共振成像超导磁体系统 法律状态 公开
说明书摘要 一种用于乳房成像的磁共振成像超导磁体系统,超导磁体系统由上低温容器(1)、下低温容器(2)、上超导主线圈、上超导屏蔽线圈(4)、下超导主线圈、下超导屏蔽线圈(6)和脉管制冷机(17)组成。上超导主线圈和上超导屏蔽线圈(4)安装上低温容器(1)内,上低温容器(1)提供直径为40cm的竖直室温孔。下超导主线圈和下超导屏蔽线圈(6)安装在平面型下低温容器(2)内,上、下低温容器之间提供间距为45cm的水平间隙。超导磁体在向上偏离超导磁体中心8cm、直径为20cm的球形成像区域内产生磁场强度为1.0T、磁场峰峰值不均匀度为15ppm的空间磁场分布,5高斯杂散场在竖直方向和水平方向分别约束在3.5m和4.0m的椭球范围内。

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