
双面布线封装的圆片级大厚度光敏BCB背面制作方法
- 申请号:CN201110324631.5
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号:CN103065985A
- 公开(公开)日:2013.04.24
- 法律状态:公开
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专利详情
专利名称 | 双面布线封装的圆片级大厚度光敏BCB背面制作方法 | ||
申请号 | CN201110324631.5 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN103065985A | 公开(授权)日 | 2013.04.24 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明(设计)人 | 汤佳杰;罗乐;徐高卫;陈骁 |
主分类号 | H01L21/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
专利有效期 | 双面布线封装的圆片级大厚度光敏BCB背面制作方法 至双面布线封装的圆片级大厚度光敏BCB背面制作方法 | 法律状态 | 公开 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种双面布线封装的圆片级大厚度光敏BCB背面制作方法,其特征在于在制作好晶圆正面之后,在背面先进行表面处理,先涂覆BCB的增粘剂,再涂覆厚度大于20μm的光敏BCB,使用烘箱进行前烘,光刻后将BCB再次放入烘箱进行显影前软烘,根据显影检测工艺确定显影时间并显影,甩干或吹干,进行显影后软烘,最后放入烘箱进行固化,等离子体处理残胶。使用穿硅通孔TSB作为双面布线的连线,形成层间互连,层间互连是由背面光敏BCB光刻显形形成锥台形通孔。所述的方法适用于高频应用,运用这种方法,可在晶圆正面制造有源或无源器件之后,直接在背面BCB介质层上集成微波无源器件,而不占用晶圆正面的面积,不影响正面器件的性能,与集成电路工艺相兼容。 |
交易流程
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专利 -
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