专利详情

专利名称	一种可单片集成的射频滤波器及制作方法
申请号	CN200910048787.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101534103	公开（授权）日	2009.09.16
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李昕欣;吴争争;顾磊
主分类号	H03H7/00(2006.01)I	IPC主分类号	H03H7/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;H03H3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种可单片集成的射频滤波器及制作方法至一种可单片集成的射频滤波器及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种可单片集成的射频滤波器及制作方法。其特征在于所述的射频滤波器的集成在CMOS硅衬底上，电感和电容元件结构悬空，且嵌入硅片表面。首先是在硅片表面沉积导电金属层作为金属-绝缘层-金属电容的下金属极板；生长介质层薄膜作为MIM电容的绝缘介质层；然后电镀同时形成MIM电容的上金属极板和嵌入式螺管电感的上导线；再利用各向异性腐蚀形成V型或倒梯型的沟槽，用于制作电感下导线以及确定悬空释放MIM 电容的开口；在电感区域沟槽里制作电感的下导线；最后采用各向同性腐蚀释放电感结构和MIM电容，使它们悬空。采用低温工艺，在普通的低阻硅片上制造，整个微加工制造工艺与CMOS集成电路工艺兼容。