专利详情

专利名称	一种硅基光电探测器及制备方法和用途
申请号	CN201210509688.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102983205A	公开（授权）日	2013.03.20
申请（专利权）人	中国科学院新疆理化技术研究所	发明（设计）人	祖佰祎;窦新存;陆彬;张磊;郭林娟
主分类号	H01L31/103(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/103(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种硅基光电探测器及制备方法和用途至一种硅基光电探测器及制备方法和用途	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种硅基光电探测器及制备方法和用途，该探测器由下至上为Si基体，SiO2层，Au薄膜电极，SiO2层为Si基体表面热氧化得到，Au膜为真空溅射在SiO2层上，导线与Au电极通过银浆粘结制成，其中Si片厚度为150-675，SiO2层厚度为50-500，Au膜厚度为30-300，电极间隙宽度为2-2，该光电探测器用于紫外或可见波段的光信号转换成电信号的传感器。该光电探测器具有结构简单、成本低、机械性能好、物化性质稳定、易加工、保存等优点。不仅具有较高的灵敏度还具有响应时间短（小于400）的优点，并且有很好的稳定性、可靠性。