专利详情

专利名称	193nm熔石英光栅起偏器及其在光刻设备中的应用
申请号	CN201210506441.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102981204A	公开（授权）日	2013.03.20
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	朱菁;杨宝喜;曾爱军;陈明;黄惠杰
主分类号	G02B5/30(2006.01)I	IPC主分类号	G02B5/30(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I
专利有效期	193nm熔石英光栅起偏器及其在光刻设备中的应用至193nm熔石英光栅起偏器及其在光刻设备中的应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种193nm熔石英光栅起偏器及其在光刻设备中的应用，该光栅式起偏器在熔石英薄片的表面上刻有一定图形的光栅，该光栅为亚波长周期、深刻蚀光栅，该光栅的线密度为5260~5400线/mm，深度为1.1~1.2μm，占空比为30%~40%。该熔石英光栅起偏器是直接在紫外可透的光学薄片上制作光栅，能够有效避免能量损耗，并提高光学元件的稳定性。加工工艺成熟，精度高，能有效降低起偏器的成本。采用熔石英光栅起偏器，获得的偏振光偏振纯度高。而且同多层膜式起偏器相比，光栅对光束的入射方向不敏感，机械对准精度要求低，容易实现。光栅起偏器的厚度小，占用空间少，可放置在光刻照明系统多个位置，位置选择更加灵活。