专利详情

专利名称	高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法
申请号	CN200810101761.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101533768	公开（授权）日	2009.09.16
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	杨涛;季海铭
主分类号	H01L21/20(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/20(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I
专利有效期	高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法至高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明一种高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤 1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上生长一层缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长铟砷量子点；步骤4：以低于铟砷量子点生长温度的条件，在铟砷量子点上淀积盖层初始部分；步骤5：升温并进行原位退火；步骤6：以高于铟砷量子点生长温度的条件，在盖层初始部分上生长高温盖层，完成铟砷/镓砷量子点材料有源区的制作。