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化合物氟硼酸钡和氟硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途

  • 申请号:CN201110258171.0
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院新疆理化技术研究所
  • 公开(公开)号:CN102978702A
  • 公开(公开)日:2013.03.20
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 化合物氟硼酸钡和氟硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途
申请号 CN201110258171.0 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102978702A 公开(授权)日 2013.03.20
申请(专利权)人 中国科学院新疆理化技术研究所 发明(设计)人 潘世烈;吴红萍;俞洪伟;侯雪玲
主分类号 C30B29/20(2006.01)I IPC主分类号 C30B29/20(2006.01)I;C01B35/12(2006.01)I;C30B9/06(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;G02F1/37(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I;G02F1/39(2006.01)I
专利有效期 化合物氟硼酸钡和氟硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途 至化合物氟硼酸钡和氟硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种化合物氟硼酸钡和氟硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途,化合物氟硼酸钡及其非线性光学晶体化学式均为Ba3B6O11F2,晶体属单斜晶系,空间群P2(1),晶胞参数为beta=101.351(4)deg.,分子量690.88。其粉末倍频效应达到KDP(KH2PO4)的3倍,化合物氟硼酸钡采用固相反应法合成;氟硼酸钡非线性光学晶体采用高温熔液法生长,该氟硼酸钡非线性光学晶体机械硬度大,易于切割、抛光加工和保存,在制备倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器等非线性光学器件中得到广泛应用。

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