专利详情

专利名称	高密度嵌入式电容器及其制作方法
申请号	CN201110338301.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103094068A	公开（授权）日	2013.05.08
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王惠娟;万里兮
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I
专利有效期	高密度嵌入式电容器及其制作方法至高密度嵌入式电容器及其制作方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明实施例公开了一种高密度嵌入式电容器及其制作方法，该方法包括：提供具有本体层和刻蚀阻挡层的基底；在本体层表面内形成多个垂直度良好且具有高深宽比的沟槽；对沟槽的底部、侧壁以及相邻沟槽间的本体层材料进行掺杂，得到该电容器的掺杂区，以在本体层与掺杂区接触区域形成三维PN结；形成该电容器的第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极的极性相反，且二者之间电学绝缘，第一电极位于掺杂区两侧或四周，第二电极位于掺杂区表面上。本发明实施例采用三维立体沟槽制作电容器的介质层，使介质层的有效面积远远大于常规电容器的介质层的有效面积，提高了电容器的电容密度，使该电容器能够同时满足低频退耦和高频退耦的要求。