半导体器件
- 申请号：CN201110347563.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103094326A
- 公开(公开)日：2013.05.08
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件 | ||
| 申请号 | CN201110347563.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103094326A | 公开（授权）日 | 2013.05.08 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 罗军;赵超 |
| 主分类号 | H01L29/51(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/51(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件 至半导体器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底中的隔离结构、被隔离结构包围的有源区、形成在有源区上的包括栅绝缘层和栅导电层的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧衬底中的源漏区、栅极堆叠结构两侧的栅极侧墙，其特征在于：栅绝缘层包括电致伸缩介质材料。依照本发明的半导体器件，采用电致伸缩介质材料作为栅绝缘层，在未施加栅压时以较大的厚度和介电常数减小了泄漏电流，而在施加栅压时通过改变厚度来增强栅极对于沟道的控制从而改善了短沟道效应以及增强了器件的驱动能力，从而整体上有效地提高了器件的电学性能。 | ||
交易流程
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