专利详情

专利名称	包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法
申请号	CN201310029855.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103035752A	公开（授权）日	2013.04.10
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	张宇翔;朱煜;黄寓洋;宋贺伦;张耀辉
主分类号	H01L31/0216(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法至包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池，包括自下而上的金属背场与背电极、单晶硅基体、PN结有源层、抗反膜、及栅电极，其特征在于，所述抗反膜有若干层，自下而上的抗反膜的折射率逐渐减小。其制备方法是采用斜角入射物理沉积法，通过调整入射角度和沉积材料，生成多层折射率不同的抗反膜。本发明大大优化了硅太阳能电池的光吸收，从而提高了电池效率。这种方法不会损伤硅晶体本身的光伏特性，能够真正将多吸收的光转化为电能。提高光转化效率，将极大地推动太阳能电池产品的发展。