
一种双平面型开放式磁共振成像超导磁体系统
- 申请号:CN201210548653.4
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院电工研究所
- 公开(公开)号:CN103035352A
- 公开(公开)日:2013.04.10
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种双平面型开放式磁共振成像超导磁体系统 | ||
申请号 | CN201210548653.4 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN103035352A | 公开(授权)日 | 2013.04.10 |
申请(专利权)人 | 中国科学院电工研究所 | 发明(设计)人 | 倪志鹏;李兰凯;王秋良;严陆光;王晖;许建益 |
主分类号 | H01F6/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F6/00(2006.01)I;H01F6/04(2006.01)I;H01F6/06(2006.01)I;G01R33/3815(2006.01)I |
专利有效期 | 一种双平面型开放式磁共振成像超导磁体系统 至一种双平面型开放式磁共振成像超导磁体系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 一种双平面型开放式磁共振成像超导磁体系统,其上、下低温容器(1、2)内均安装有所述的超导主线圈(6)和超导屏蔽线圈(7)。超导主线圈(6)和超导屏蔽线圈(7)关于两个低温容器的中心对称平面(3)对称布置。上、下低温容器(1、2)中,靠近中心对称平面(3)的真空容器(14)的表面开有阶梯式凹槽(22),磁场矫正铁环(15)、匀场铁片(16)、室温匀场线圈(17)、梯度线圈(18)和射频线圈(19)安装在所述的凹槽(22)内;上、下低温容器(1、2)远离中心对称平面的真空容器(14)的表面的凹槽(23)中装有匀场铁片(16);上低温容器(1)远离中心对称平面的真空容器(14)的表面的凹槽(23)中心位置处安装制冷机(20)。 |
交易流程
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专利 -
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