欢迎来到喀斯玛汇智科技服务平台

服务热线: 010-82648522

首页 > 专利推荐 > 专利详情

一种双平面型开放式磁共振成像超导磁体系统

  • 申请号:CN201210548653.4
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院电工研究所
  • 公开(公开)号:CN103035352A
  • 公开(公开)日:2013.04.10
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
  • 立即咨询

专利详情

专利名称 一种双平面型开放式磁共振成像超导磁体系统
申请号 CN201210548653.4 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103035352A 公开(授权)日 2013.04.10
申请(专利权)人 中国科学院电工研究所 发明(设计)人 倪志鹏;李兰凯;王秋良;严陆光;王晖;许建益
主分类号 H01F6/00(2006.01)I IPC主分类号 H01F6/00(2006.01)I;H01F6/04(2006.01)I;H01F6/06(2006.01)I;G01R33/3815(2006.01)I
专利有效期 一种双平面型开放式磁共振成像超导磁体系统 至一种双平面型开放式磁共振成像超导磁体系统 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种双平面型开放式磁共振成像超导磁体系统,其上、下低温容器(1、2)内均安装有所述的超导主线圈(6)和超导屏蔽线圈(7)。超导主线圈(6)和超导屏蔽线圈(7)关于两个低温容器的中心对称平面(3)对称布置。上、下低温容器(1、2)中,靠近中心对称平面(3)的真空容器(14)的表面开有阶梯式凹槽(22),磁场矫正铁环(15)、匀场铁片(16)、室温匀场线圈(17)、梯度线圈(18)和射频线圈(19)安装在所述的凹槽(22)内;上、下低温容器(1、2)远离中心对称平面的真空容器(14)的表面的凹槽(23)中装有匀场铁片(16);上低温容器(1)远离中心对称平面的真空容器(14)的表面的凹槽(23)中心位置处安装制冷机(20)。

交易流程

  • 01 选取所需
    专利
  • 02 确认专利
    可交易
  • 03 签订合同
  • 04 上报材料
  • 05 确认变更
    成功
  • 06 支付尾款
  • 07 交付证书

平台保障

1、源头对接,价格透明

2、平台验证,实名审核

3、合同监控,代办手续

4、专员跟进,交易保障

  • 用户留言
暂时还没有用户留言

求购专利

专利交易流程

  • 01 选取所需专利
  • 02 确认专利可交易
  • 03 签订合同
  • 04 上报材料
  • 05 确认变更成功
  • 06 支付尾款
  • 07 交付证书
官方客服(周一至周五:8:30-17:30) 010-82648522