专利详情

专利名称	基于模拟退火算法的自适应压力控制的原子层沉积设备
申请号	CN201110309981.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103046029A	公开（授权）日	2013.04.17
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王燕;李勇滔;夏洋;赵章琰;石莎莉
主分类号	C23C16/52(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/52(2006.01)I
专利有效期	基于模拟退火算法的自适应压力控制的原子层沉积设备至基于模拟退火算法的自适应压力控制的原子层沉积设备	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于模拟退火算法的自适应压力控制的原子层沉积设备，包括沉积腔室、等离子气体产生系统、射频电源匹配器、射频电源、气压采集电路、模拟退火控制电路、抽气装置以及充气装置。本发明提供的基于模拟退火算法的自适应压力控制的原子层沉积设备，采用基于模拟退火算法的自适应控制算法控制原子层沉积设备的腔室气压，使之保持在设定的气压范围内，且能够快速的达到预设的气压值，不但能够使原子层沉积设备迅速进入稳定的工作状态，而且能够减少化学试剂的浪费，提高实际利用率，降低残留试剂对气体试剂的污染，降低沉积反应周期时间，能够得到均匀性、纯度及厚度控制等性能良好的薄膜。