折射率可控的多孔性二氧化硅减反膜的制备方法
- 申请号：CN200910048696.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海光学精密机械研究所;上海大恒光学精密机械有限公司
- 公开(公开)号：CN101531468
- 公开(公开)日：2009.09.16
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 折射率可控的多孔性二氧化硅减反膜的制备方法 | ||
| 申请号 | CN200910048696.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101531468 | 公开（授权）日 | 2009.09.16 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所;上海大恒光学精密机械有限公司 | 发明（设计）人 | 唐永兴;熊怀;李海元;陈知亚 |
| 主分类号 | C03C17/23(2006.01)I | IPC主分类号 | C03C17/23(2006.01)I;G02B1/11(2006.01)I |
| 专利有效期 | 折射率可控的多孔性二氧化硅减反膜的制备方法 至折射率可控的多孔性二氧化硅减反膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种折射率可控的多孔性二氧化硅减反膜的制备方法，采用先碱催 化后酸催化的方法制备涂膜液，适用于浸涂法、或喷涂法、或旋涂法， 在基板上涂制多孔性二氧化硅基膜层，高温热处理后得到多孔性二氧化 硅膜层。本发明制备的膜层具有高硬度、高化学稳定性、自洁性好和宽 带减反的特点。 | ||
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