专利详情

专利名称	一种制备单晶Bi₂Se₃纳米结构的方法
申请号	CN201110310282.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103046110A	公开（授权）日	2013.04.17
申请（专利权）人	国家纳米科学中心	发明（设计）人	唐皓颖;江鹏;王中林
主分类号	C30B1/10(2006.01)I	IPC主分类号	C30B1/10(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I
专利有效期	一种制备单晶Bi₂Se₃纳米结构的方法至一种制备单晶Bi₂Se₃纳米结构的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种制备单晶Bi2Se3纳米结构的方法，所述Bi2Se3纳米结构包括纳米带和纳米片，Bi2Se3纳米带的宽度为50nm～4μm，长度为1～200μm，Bi2Se3纳米片的直径为50nm～20μm。本发明采用高温热蒸发和气相传输的方法，以Bi粉和Se粉或Bi2Se3粉末为原料，在高温扩散炉中进行热蒸发，在衬底上获得Bi2Se3纳米结构。本发明的获得Bi2Se3纳米结构为高质量的单晶材料，合成过程不使用催化剂，避免了引入外来杂质对材料性质的影响，简单易行，重复性好，原料和衬底易得，制备成本低廉。

交易流程

1、源头对接，价格透明

2、平台验证，实名审核

3、合同监控，代办手续

4、专员跟进，交易保障

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