专利详情

专利名称	一种半导体材料特性的测量装置及测量方法
申请号	CN200910081523.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101527273	公开（授权）日	2009.09.09
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	李斌成;刘显明;黄秋萍;韩艳玲
主分类号	H01L21/66(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/66(2006.01)I;G01N21/64(2006.01)I;G01N21/59(2006.01)I;G01N21/55(2006.01)I
专利有效期	一种半导体材料特性的测量装置及测量方法至一种半导体材料特性的测量装置及测量方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体材料特性的测量装置及方法，用于测量半导体材料的特性参数以及对材料加工品质的评价，在测试系统中仅由一束激发光和一束探测光来，可同时或分别取得样品的光载流子辐射测量信号、自由载流子吸收测量信号以及光调制反射测量信号，通过同时或分别分析处理光载流子辐射、自由载流子吸收和光调制反射信号数据，可得到半导体材料的特性参数；通过与标准或标定样品信号数据比较，可测量半导体材料加工时引入的杂质浓度和缺陷浓度等参数。