专利详情

专利名称	一种IGBT集电极结构及其制备方法
申请号	CN201310008968.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103022099A	公开（授权）日	2013.04.03
申请（专利权）人	江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司	发明（设计）人	陈宏;朱阳军;卢烁今;吴凯
主分类号	H01L29/417(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/417(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	一种IGBT集电极结构及其制备方法至一种IGBT集电极结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种IGBT的集电极结构，包括N-型基区，还包括在N-型基区的背面形成的N+型缓冲层和P+型集电极层，所述N+型缓冲层的表面包括阵列式的岛状凸起部以及岛状凸起部之间的凹下部；P+型集电极层位于N+型缓冲层的岛状凸起部以及岛状凸起部之间的凹下部的表层。所述N+型缓冲层的阵列式的岛状凸起部和岛状凸起部之间的凹下部的面积比例能够根据IGBT器件的需要而调节设定。本发明还提出一种所述IGBT集电极结构的制备方法。本发明用于改善场截止型IGBT的性能。