专利详情

专利名称	一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法
申请号	CN201110279693.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103021848A	公开（授权）日	2013.04.03
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	卞剑涛;薛忠营;狄增峰;张苗
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/165(2006.01)I
专利有效期	一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法至一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法，在SiGe或Ge区制作器件的源区，Si区制作器件的漏区，获得高ON电流的同时保证了低OFF电流，采用局部锗氧化浓缩技术实现局部高锗组份的SGOI或GOI，在局部高锗组份的SGOI或GOI中，锗组份从50%~100%可控，并且，薄膜厚度可控制在5~20nm，易于器件工艺实现。SiGe或Ge与Si在氧化浓缩过程中，它们之间形成了一个锗组份渐变的锗硅异质结结构，消除缺陷的产生。本发明的制备方法工艺简单，与CMOS工艺兼容，适用于大规模的工业生产。