专利详情

专利名称	有序介孔二氧化硅基荧光纳米材料及其制备方法
申请号	CN200910047888.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101525533	公开（授权）日	2009.09.09
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	何前军;施剑林;陈雨;崔方明
主分类号	C09K11/06(2006.01)I	IPC主分类号	C09K11/06(2006.01)I;C09K11/59(2006.01)I
专利有效期	有序介孔二氧化硅基荧光纳米材料及其制备方法至有序介孔二氧化硅基荧光纳米材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种有序介孔二氧化硅基荧光纳米材料及其制备方法，属于介孔分子筛荧光纳米材料技术领域。本发明的有序介孔二氧化硅基荧光纳米材料，其特征在于，孔径尺寸为3～30nm，孔容＞0.5cm³g^-1，比表面积＞500m²g^-1，有机荧光分子单分散共价嫁接在有序介孔二氧化硅基体的孔道内壁。本发明通过有机荧光官能团单分散共价嫁接在有序介孔二氧化硅基体的孔道内壁，制备得到的荧光材料具有高的嫁接率(可高达0.2个荧光官能团/nm^-2)、高的荧光量子产率(大于80％)和优良的光稳定性。