专利详情

专利名称	低源漏接触电阻MOSFETS及其制造方法
申请号	CN201110264987.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103000675A	公开（授权）日	2013.03.27
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	罗军;赵超
主分类号	H01L29/49(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/49(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	低源漏接触电阻MOSFETS及其制造方法至低源漏接触电阻MOSFETS及其制造方法	法律状态	著录事项变更
说明书摘要	本发明公开了一种在后栅工艺中有效降低了源漏接触电阻的MOSFET及其制作方法，包括：衬底、衬底上的由栅极介质层和栅极金属层构成的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧衬底中的源漏区、栅极堆叠结构两侧衬底上的栅极侧墙、衬底上的层间介质、源漏区上层间介质中的源漏接触塞、源漏区与源漏接触塞之间的金属硅化物，其特征在于：金属硅化物与源漏区的界面处具有掺杂离子的分凝区，栅极介质层位于栅极金属层下方以及侧面。依照本发明的有效降低源漏接触电阻的器件及其制造方法，在金属硅化物与掺杂源漏区之间的界面处具有掺杂离子的分凝区，能有效降低肖特基势垒高度，从而大大降低了源漏接触电阻，进一步提高了器件的性能。