专利详情

专利名称	利用激光直写制备三维中空微纳米功能结构的方法
申请号	CN201210541023.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103011058A	公开（授权）日	2013.04.03
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	顾长志;牟佳佳;李家方;李无瑕;姜倩晴
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I
专利有效期	利用激光直写制备三维中空微纳米功能结构的方法至利用激光直写制备三维中空微纳米功能结构的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明是一种利用激光直写制备三维中空微纳米功能结构的方法，通过表面功能化，获得三维微纳米功能结构的方法，其步骤包括：镂空衬底的选取与处理；镂空衬底在载物支撑基底上的放置；镂空衬底的载物支撑基底上光刻胶的滴定；激光直写光刻胶聚合物三维中空微纳米结构的制备；光刻胶聚合物三维中空微纳米结构的表面功能化；三维中空微纳米功能结构的修饰与处理，从而得到成品。本发明是一种基于双光子聚合作用在镂空衬底上制备各种高度、边长以及截面几何形状的光刻胶聚合物中空三维微纳米结构，然后通过功能化材料的生长与修饰处理，实现光刻胶聚合物中空三维微纳米结构的功能化，具任意复杂图形的批量、可重复、可设计、可控制备的特点。