专利详情

专利名称	一种对互连结构进行电容提取的方法
申请号	CN201210576410.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103020379A	公开（授权）日	2013.04.03
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	陈岚;马天宇;叶甜春
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I
专利有效期	一种对互连结构进行电容提取的方法至一种对互连结构进行电容提取的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种对互连结构进行电容提取的方法，应用于一导体，导体表面包括多个三角形边界元；每一个三角形边界元中设置至少一个变动点，包括：获取各个三角形边界元的变动点坐标；在每个变动点上设置一个独立随机变量和一个非独立随机变量，独立随机变量表示垂直于变动点所在表面的第一方向的变动，非独立随机变量表示第二方向的变动传递到变动点的力；将各个独立随机变量和非独立随机变量加入对应的变动点坐标中，形成一等效导体表面；计算等效导体表面的等效电容。对导体表面使用三角形边界元进行离散，基本上不增加随机变量的数目；能够及时的反应导体表面的变动，电容提取也能够准确反映变动电容的真实特征。