专利详情

专利名称	防止钝化层过刻蚀的方法
申请号	CN201110284796.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103021840A	公开（授权）日	2013.04.03
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李博;申华军;白云;汤益丹;刘焕明;周静涛;杨成樾;刘新宇
主分类号	H01L21/311(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/311(2006.01)I
专利有效期	防止钝化层过刻蚀的方法至防止钝化层过刻蚀的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了防止钝化层过刻蚀的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上制备两层致密性不同的钝化层，靠近衬底侧的钝化层为致密钝化层，远离衬底侧的钝化层为疏松钝化层；步骤B，在钝化层上旋涂光刻胶，按照预设的元件模板对光刻胶进行曝光和显影；步骤C，以衬底上曝光、显影后剩余的光刻胶为掩膜，对疏松钝化层进行干法刻蚀；步骤D，以衬底上曝光、显影后剩余的光刻胶为掩膜，对致密钝化层进行湿法刻蚀。本发明通过生长两层致密性不同的SiO2层，结合湿法刻蚀和干法刻蚀两者的优点分别对上述两层致密性不同的SiO2层分别进行刻蚀，不仅避免了底层SiC的过刻蚀，并且保证了刻蚀质量。