专利详情

专利名称	铝栅CMP化学反应动力学仿真及版图设计优化方法
申请号	CN201210581850.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103020384A	公开（授权）日	2013.04.03
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	徐勤志;陈岚
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I
专利有效期	铝栅CMP化学反应动力学仿真及版图设计优化方法至铝栅CMP化学反应动力学仿真及版图设计优化方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种铝栅CMP化学反应动力学仿真方法及版图设计优化方法。所述铝栅CMP化学反应动力学仿真方法，包括：基于铝栅CMP化学反应动力学模型，优化铝栅CMP的研磨液中各组分浓度；基于所述铝栅CMP化学反应动力学模型和优化后的所述铝栅CMP的研磨液中各组分浓度，对铝栅进行预定时间段的仿真，预测铝栅表面高度的变化量；基于预测得到的所述铝栅表面高度的变化量，获取铝栅表面的仿真金属碟形值和仿真介质侵蚀值。该仿真方法的基础模型从化学反应机理上对HKMG工艺中的铝栅CMP进行了合理解释和表面高度实时仿真，从本质上揭示出了铝栅CMP的工作原理。