
通过出射光窗口电极结构控制偏振的垂直腔面发射激光器
- 申请号:CN200910066780.9
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 公开(公开)号:CN101521353
- 公开(公开)日:2009.09.02
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 通过出射光窗口电极结构控制偏振的垂直腔面发射激光器 | ||
申请号 | CN200910066780.9 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101521353 | 公开(授权)日 | 2009.09.02 |
申请(专利权)人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明(设计)人 | 王伟;宁永强;秦莉;刘云;王立军 |
主分类号 | H01S5/183(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/183(2006.01)I;H01S5/02(2006.01)I |
专利有效期 | 通过出射光窗口电极结构控制偏振的垂直腔面发射激光器 至通过出射光窗口电极结构控制偏振的垂直腔面发射激光器 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及到一种垂直腔面发射激光器,特别是一种通过出射光窗口电 极结构控制偏振的垂直腔面发射激光器,包括p型DBR层、有源层、n型 DBR层、GaAs衬底、包覆在p型DBR层上的p面电极和敷设在GaAs衬底 底部的n面电极的层次结构,其特点是,所述的n面电极由环形极板和覆盖 于出射光窗口部分的条形栅极构成,其条形栅极的轴向平行于所述衬底的 (110)晶向。本发明VCSEL结构制造工艺简捷、重复性好,容易推广,将VCSEL 出射光的偏振方向很好的控制在衬底的(110)晶向和(110)晶向。 |
交易流程
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