专利详情

专利名称	乙烯双键桥连NDI基共轭聚合物及其制备方法与应用
申请号	CN201210544285.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103012755A	公开（授权）日	2013.04.03
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	于贵;陈华杰;郭云龙;黄剑耀;刘云圻
主分类号	C08G61/12(2006.01)I	IPC主分类号	C08G61/12(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I
专利有效期	乙烯双键桥连NDI基共轭聚合物及其制备方法与应用至乙烯双键桥连NDI基共轭聚合物及其制备方法与应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种乙烯双键桥连NDI基共轭聚合物及其制备方法与应用。该聚合物如式I所示。本发明提供的聚合路线简单高效、原料供应广泛、合成成本低，具有很好普适性和高的重复性等优点，可以推广应用到其他各种取代基的乙烯-NDI大π共聚物的合成。以本发明以此类聚合物半导体材料作为活性层制备的FETs展现出良好的双极性特征，其最大电子和空穴迁移率分别达到0.73和0.12cm2/V·s，展现出了这类聚合物材料在FETs中有优良的应用潜质。