专利详情

专利名称	一种纳米复合相变材料及其制备方法
申请号	CN200910048204.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101521260	公开（授权）日	2009.09.02
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋三年;宋志棠;万旭东;谢志峰;封松林
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I
专利有效期	一种纳米复合相变材料及其制备方法至一种纳米复合相变材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明是关于一种新型纳米复合相变材料及其制备方法。纳米复合相变材料特征在于相变材料与铁电材料的复合，铁电材料将相变材料分隔成形状和大小可控的、均匀的、纳米尺寸的区域，从而把相变材料的相变限制在小区域内，同时因为铁电材料具有较好的介电和绝热性能，它的存在增强了复合材料的介电特性与抗击穿能力，抑制了相变材料晶粒的长大，提升了材料的电阻率，又增加了材料的热容。这种新型纳米复合相变材料应用到存储器中，有利于实现高密度存储，提高了相变存储器的编程过程中的加热效率，降低了其功耗，提高了存储速率，提升了数据保持能力、疲劳特性和抗辐照能力等。