一种用于薄膜太阳电池的陷光结构
- 申请号：CN200910081459.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电工研究所
- 公开(公开)号：CN101521236
- 公开(公开)日：2009.09.02
- 法律状态：实质审查的生效
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 一种用于薄膜太阳电池的陷光结构 | ||
| 申请号 | CN200910081459.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101521236 | 公开（授权）日 | 2009.09.02 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 赵雷;王文静 |
| 主分类号 | H01L31/0232(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0232(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种用于薄膜太阳电池的陷光结构 至一种用于薄膜太阳电池的陷光结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种用于薄膜太阳电池的陷光结构，其基本特征在于这种陷光结构处在太阳电池光吸收 区的背光面，从太阳电池光吸收区一侧开始依次包括衍射光栅1，分布布拉格反射器(DBR) 2和金属反射器3。衍射光栅1提高光的衍射效率，DBR2和金属反射器3共同提高光的反射 率。金属反射器3的存在一方面极大的提高了所述结构的陷光效率，一方面可以减少DBR的 对数，使这种陷光结构更容易制作。在DBR2和金属反射器3之间可以进一步含有介质缓冲 层4。 | ||
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