专利详情

专利名称	一种单电子存储器的制备方法
申请号	CN200910080195.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101521181	公开（授权）日	2009.09.02
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	贾锐;李维龙;陈晨;朱晨昕;李昊峰;张培文;刘明
主分类号	H01L21/8239(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/8239(2006.01)I
专利有效期	一种单电子存储器的制备方法至一种单电子存储器的制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及纳米器件制作技术领域的一种单电子存储器的制备方法。为了解决现有单电子存储器制备技术中工艺步骤复杂的缺点，本发明的目的在于提供一种单电子存储器的制备方法，采用电子束光刻技术和刻蚀技术制作电极图形和导电沟道，通过光学光刻和剥离方式制作源、漏接触电极，通过电子束蒸发手段制备薄层硅，然后通过快速热退火技术将表面的薄层硅制作成硅量子点，最后通过剥离工艺制作栅电极。本发明工艺步骤简单，能与传统的微电子工艺兼容。使用本发明方法制备的单电子存储器具有很大的一致性，且操作电压低、功耗小。