专利详情

专利名称	以单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器的制备方法
申请号	CN200910045816.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101521177	公开（授权）日	2009.09.02
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;吕士龙
主分类号	H01L21/822(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/822(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I
专利有效期	以单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器的制备方法至以单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种以单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器的制备方法，其首先清洗半导体衬底以去除其表面的污物，然后采用化学气相沉积法在衬底表面沉积介质层，再采用化学气相沉积法在介质层上制备横向的单壁碳纳米管阵列，接着采用聚焦离子束沉积法沉积用于光刻的多个对准标记及与各碳纳米管相接触的接触电极，接着采用电子束光刻结合反应离子刻蚀法刻蚀碳纳米管以形成电极对阵列，并根据所形成的各对准标记，采用磁控溅射法及电子光刻技术在各电极对之间被刻蚀掉的碳纳米管处沉积相变材料，接着再采用离子束沉积法及电子束光刻法在已沉积相变材料的结构上沉积绝热保护区，以及制备各测试电极，由此形成低功耗的横向相变存储器。