专利详情

专利名称	一种原子层沉积设备及其使用方法
申请号	CN201110300843.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103031546A	公开（授权）日	2013.04.10
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王燕;李勇滔;夏洋;赵章琰;石莎莉
主分类号	C23C16/52(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/52(2006.01)I
专利有效期	一种原子层沉积设备及其使用方法至一种原子层沉积设备及其使用方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和沉积室；所述沉积室内设有膜厚测量模块，所述膜厚测量模块与所述控制部件电连接。本发明还提供一种原子层沉积设备的使用方法。本发明通过采用沉积时间和膜层厚度测量模块，提高了原子层沉积设备的膜厚控制能力，减少设备故障，使得加工出的膜层更加接近所需厚度，有效降低膜层厚度漂移，提高了设备的利用率，且能够满足半导体加工越来越精细化的要求。