专利详情

专利名称	基于X射线曝光技术制作透光纳米压印模板的方法
申请号	CN200810100954.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101520600	公开（授权）日	2009.09.02
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘兴华;徐德钰;朱效立;谢常青;刘明
主分类号	G03F7/00(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/00(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I
专利有效期	基于X射线曝光技术制作透光纳米压印模板的方法至基于X射线曝光技术制作透光纳米压印模板的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于X射线曝光技术制作透光纳米压印模板的方法，透明纳米压印模板是由电子束光刻制成纳米X射线曝光模版，该方法通过X射线曝光，将纳米图形转移到不导电的石英作为衬底的光刻胶上，显影后通过蒸发金属、剥离工艺，得到石英衬底上的金属纳米图形，将金属作为阻挡层使用反应离子刻蚀石英，得到石英上的纳米图形，去除金属完成透光纳米压印模板的制作。本发明解决了无法在不导电的衬底上电子束光刻得到高分辨率图形的问题。同时，本发明实现了透光纳米压印模板，为纳米压印提供了方便的对准手段，使紫外固化纳米压印成为可能。