一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法
- 申请号：CN200810100953.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN101519799
- 公开(公开)日：2009.09.02
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法 | ||
| 申请号 | CN200810100953.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101519799 | 公开（授权）日 | 2009.09.02 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 魏同波;段瑞飞;霍自强;王军喜;曾一平;李晋闽 |
| 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法 至一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN外延层的制备方 法，以m面蓝宝石为衬底，用磁控溅射方法沉积ZnO缓冲层，再用氢化 物气相外延方法生长低温GaN保护层，之后升温到高温，在NH3气氛中 退火，最后使用氢化物气相外延快速生长GaN厚膜。本发明的非极性m 面GaN厚膜可用于GaN的同质外延生长以及非极性LED、LD等光电器 件的制备。 | ||
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