专利详情

专利名称	多态相变存储器单元器件及制备方法
申请号	CN200910047721.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101510584	公开（授权）日	2009.08.19
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;凌云;龚岳峰;刘波;封松林
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I
专利有效期	多态相变存储器单元器件及制备方法至多态相变存储器单元器件及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供的电阻变化显著的多态相变存储器单元器件及其制备方法，包括：下电极层；处于下电极层表面且为导电材料的加热电极层；处于加热电极层表面的组合层，组合层包括自层表面向层内扩散成第一锥状和自第一锥状锥底部处继续向层内收缩成第二锥状的相变材料区、及和相变材料区组合形成层结构的绝缘材料区，其中，第一锥状和第二锥状的锥顶部的宽度都处于加热电极层宽度的0.01倍至0.03倍之间；处于组合层表面的上接触电极层；处于上接触电极层表面的上电极层。而制备方法包括：首先在半导体衬底上制备下电极通孔，并往所述下电极通孔内沉积导电材料以形成金属栓塞，接着溅射沉积相变材料，并化学机械抛光表面，最后再沉积导电材料以形成金属塞。