专利详情

专利名称	一种微流控芯片的封接方法及其应用
申请号	CN200910080983.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101510518	公开（授权）日	2009.08.19
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	江龙;韩建华;李少华;张建平
主分类号	H01L21/50(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;G01N33/00(2006.01)I
专利有效期	一种微流控芯片的封接方法及其应用至一种微流控芯片的封接方法及其应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开一种微流控芯片的封接方法及其应用。该封接方法，包括如下步骤： 1)将聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄膜紧密贴合于刻蚀有通道的基片上，保证PDMS薄膜与刻蚀有通道的基片之间没有气泡；2)将真空处理过的PDMS与固化剂的混合液涂敷在刻蚀有通道的基片表面未被PDMS薄膜覆盖的部分，再加盖一层基片，热固化后，完成所述微流控芯片的封接。该方法操作简单，成本低廉，制作周期短，重现性好；非常适宜于加工数十微米的微观结构，特别是对于水相介质芯片完全不会发生泄漏，成品率达到100％。当芯片需要清洗或发生堵塞的情况时，PDMS可与微流控芯片基片可逆拆分。利用本发明提供的封接方法制备微流控芯片，可很容易地实现混合、分离等单元操作，可用于制作共轭聚合物传感芯片。