专利详情

专利名称	一种电子束曝光散射参数的提取方法
申请号	CN200910080196.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101510050	公开（授权）日	2009.08.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	赵珉;陈宝钦;刘明;牛洁斌
主分类号	G03F7/00(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/00(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F7/26(2006.01)I
专利有效期	一种电子束曝光散射参数的提取方法至一种电子束曝光散射参数的提取方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种电子束曝光散射参数的提取方法。为了解决现有电子束曝光散射参数提取方法中操作繁琐且难以保证准确性的问题，本发明提供一种电子束曝光散射参数的提取方法，该方法根据所要进行参数提取的电子束抗蚀剂及衬底结构特性设计出合适的前散射参数α、背散射参数β以及背散射与前散射沉积能量之比η的提取版图；然后在待测的电子抗蚀剂及衬底结构上分别对三种设计的版图进行变剂量的电子束直写曝光；最后根据多组不同参数曝光、显影及剥离后的图形结构特征确定一组合适的散射参数。本发明无需进行大量烦琐的测量，因此不存在测量误差，并减少了由于数学处理带来的误差，使参数提取准确且简单易行。