专利详情

专利名称	一种氮化铝锥尖及栅极结构的制作方法
申请号	CN200810056965.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101497991	公开（授权）日	2009.08.05
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	顾长志;李云龙;李俊杰;时成瑛;金爱子;罗强;杨海方
主分类号	C23C14/35(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/35(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I
专利有效期	一种氮化铝锥尖及栅极结构的制作方法至一种氮化铝锥尖及栅极结构的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种氮化铝锥尖及其栅极锥尖结构的制备方法，该方法包括以下步骤：利用射频磁控溅射方法在干净的硅衬底上生长一层氮化铝薄膜或再沉积一层金膜，然后放入到聚焦离子束刻蚀系统中，当真空度达5.5 ×10-5mbar时，加5kV电子束高压，进行样品形貌观察和定位，再加离子束源和设置束流，最后设置刻蚀图样，并按照刻蚀图样对氮化铝薄膜样品进行聚焦离子束刻蚀，得到氮化铝锥尖3结构或栅极锥尖结构，所制备的氮化铝锥尖3结构的单个锥的长径比在(3-30)∶1之间，尖部最小曲率半径低于20纳米，底部直径为100纳米到几微米。该方法可以制备出长径比可控的氮化铝锥尖及其栅极锥尖结构，省去了传统工艺中必须的沉积绝缘层和光刻等多道工序，工艺简单和成本低。