专利详情

专利名称	钨钛合金纳米晶浮栅结构及其制备方法
申请号	CN200910078478.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101494237	公开（授权）日	2009.07.29
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘明;杨仕谦;王琴;龙世兵
主分类号	H01L29/49(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/49(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	钨钛合金纳米晶浮栅结构及其制备方法至钨钛合金纳米晶浮栅结构及其制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种用于快闪存储器的钨钛合金纳米晶浮栅结构，属于微电子技术领域。该结构包括硅衬底，以及在所述硅衬底上依次覆盖的氧化硅层、高介电常数薄膜、钨钛合金纳米晶电荷存储层、阻挡层以及栅材料层。本发明的结构提高了浮栅结构的非挥发性存储单元的编程/擦除效率、编程/擦除(P/E)速度、有效电荷存储能力、数据保持特性、编程/擦除耐受性等存储性能。本发明同时公开了一种制作钨钛合金纳米晶浮栅结构的方法。本发明的方法简便，并兼容于传统CMOS硅平面工艺。