晶体管及其制造方法
- 申请号：CN201010284792.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102403226A
- 公开(公开)日：2012.04.04
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 晶体管及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201010284792.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102403226A | 公开（授权）日 | 2012.04.04 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/30(2006.01)I;H01L29/32(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
| 专利有效期 | 晶体管及其制造方法 至晶体管及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及应力增强型晶体管及其制造方法。根据本发明的晶体管制造方法包括如下步骤：在形成了栅极的半导体衬底上形成掩膜层，所述掩膜层覆盖所述栅极以及所述半导体衬底；图形化该掩膜层，使得源区和漏区中每一个的至少一部分暴露；非晶化所述源区和漏区的暴露部分；除去所述掩膜层；以及对所述半导体衬底进行退火以在源区和漏区中的每一个的暴露部分形成位错。 | ||
交易流程
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专利 -
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