
一种红外光调制光致发光谱的测量方法和装置
- 申请号:CN200910046995.4
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海技术物理研究所
- 公开(公开)号:CN101493412
- 公开(公开)日:2009.07.29
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种红外光调制光致发光谱的测量方法和装置 | ||
申请号 | CN200910046995.4 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101493412 | 公开(授权)日 | 2009.07.29 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明(设计)人 | 邵军;吕翔;陆卫;郭少令;褚君浩 |
主分类号 | G01N21/64(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/64(2006.01)I;G01N21/88(2006.01)I |
专利有效期 | 一种红外光调制光致发光谱的测量方法和装置 至一种红外光调制光致发光谱的测量方法和装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种红外光调制光致发光谱的方法和装置,该装置包括傅立 叶变换红外光谱测量系统、作为泵浦和探测光源的激光器系统、以及联结傅立 叶变换红外光谱仪中探测器与电路控制板的锁相放大器和低通滤波器、置于测 试样品与激光器系统之间光路上的两个斩波器。该方法使用上述装置进行光调 制光致发光光谱测量,能准确确定光致发光信号中多个光跃迁的能量位置。由 于红外光调制光致发光谱是光致发光光谱物理微分,可以更为确切分析发光过 程,因而可作为一种可靠测定涉及多光跃迁机制光致发光信号的有效手段。本 发明具有快速、便捷的优点,适用于富含杂质和缺陷的红外半导体光电材料微 弱发光特性的检测。 |
交易流程
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